TSM2311CX-01 RFG

Výrobca Číslo produktu:

TSM2311CX-01 RFG

Product Overview

Výrobca:

Taiwan Semiconductor Corporation

Číslo dielu:

TSM2311CX-01 RFG-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 4A SOT23

Podrobný popis:

P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Inventár:

Online RFQ

12900231

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

TSM2311CX-01 RFG Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Taiwan Semiconductor

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

4A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

2.5V, 4.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

55mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

9 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±8V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

640 pF @ 6 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

900mW (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

SOT-23

Balenie / puzdro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1

Iné mená

TSM2311CX-01RFG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

3 (168 Hours)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

taiwan-semiconductor

TSM60NB190CF C0G

MOSFET N-CH 600V 18A ITO220S

taiwan-semiconductor

TSM160P02CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP

diodes

DMN2053U-7

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3

fairchild-semiconductor

FQAF28N15

MOSFET N-CH 150V 22A TO3PF